reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Stmicroelectronics

Stmicroelectronics Stfw3N150

About The 5A, To3Pf; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.5Kv; Resistenza Di Attivazione Rds(On):6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |STMICROELECTRONICS STFW3N150

Mosfet, Canale N, 1500V, 2.5A, To3Pf; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.5A; Tensione Drain Source Vds:1.5Kv; Resistenza Di Attivazione Rds(On):6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension ,STMICROELECTRONICS STFW3N150

Semiconduttori - Discreti

Stmicroelectronics Stfw3N150

More from Circuiti Stampati E Componenti: Mosfet, Canale N, 1500V, 2.5A, To3Pf; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.5A; Tensione Drain Source Vds:1.5Kv; Resistenza Di Attivazione Rds(On):6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |STMICROELECTRONICS STFW3N150
Search

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Stmicroelectronics Stfw3N150

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Stmicroelectronics Stfw3N150
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.04 /10
Votes :- 51
Mosfet, Canale N, 600V, 10A, Powerflat; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.32Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |STMICROELECTRONICS STL13NM60N
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 30V, 17A, I2Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:17A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.168Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |STMICROELECTRONICS STI24NM60N
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 75V, 180A, H2Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:180A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0016Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |STMICROELECTRONICS STH260N6F6-2
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 100V, 120A, H2Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:180A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0039Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |STMICROELECTRONICS STH180N10F3-2
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Mosfet, Canale N, 100V, 120A, H2Pak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:180A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0039Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |STMICROELECTRONICS STH180N10F3-2
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics