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Stmicroelectronics

Stmicroelectronics Stw34Nm60N

About The 092Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |STMICROELECTRONICS STW34NM60N.Mosfet, Canale N, 600V, 29A, To 247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:29A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Canale N, 600V, 29A, To 247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:29A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.092Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio ,STMICROELECTRONICS STW34NM60N

Semiconduttori - Discreti

Stmicroelectronics Stw34Nm60N

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Stmicroelectronics Stw34Nm60N

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Stmicroelectronics Stw34Nm60N
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Capacitor Polyester Film 0.22Uf 63V 10%,; Capacitor Polyester Film 0.22Uf 63V 10%, Radial; Capacitance:0.22 F; Capacitor Dielectric Type:Pet (Polyester); Voltage Rating:63V; Product Range:B32529 Series; Capacitance Tolerance: 10%; Capacitor Terminals:Radial Leaded |EPCOS B32529C0224K289
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    • Wall Plate, 1 Gang, 1 Duplex, Ivory; Accessory Type:Wall Plate; For Use With:Standard Duplex Receptacles; No.

    Wall Plate, 1 Gang, 1 Duplex, Ivory; Accessory Type:Wall Plate; For Use With:Standard Duplex Receptacles; No.

    Hubbell Wiring Devices Np8I Of Module Spaces:2; Connector Body Material:Nylon (Polyamide) Body; Connector Colour:Ivory; |HUBBELL WIRING DEVICES NP8I.

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    • Mosfet, 2 Canali N, 30V, 40A, Powerflat; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.016Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):1 |STMICROELECTRONICS STL40DN3LLH5
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    • Mosfet, Canale N, 650V, 93A Max247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:96A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.019Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |STMICROELECTRONICS STY112N65M5
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    • Mosfet, Canale N, 650V, 93A Max247; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:96A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.019Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tension |STMICROELECTRONICS STY112N65M5
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