reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Accessori dispositivi elettronici
Splitter e interruttori audio e video
Splitter e interruttori DVI
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Ipp65R125C7Xksa1

About The Mosfet, Canale N, 650V, 18A, To-220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPP65R125C7XKSA1

Mosfet, Canale N, 650V, 18A, To-220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi ,INFINEON IPP65R125C7XKSA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ipp65R125C7Xksa1

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Ipp65R125C7Xksa1

CategoryDispositivi elettronici > Accessori dispositivi elettronici > Splitter e interruttori audio e video > Splitter e interruttori DVI
Instockinstock

Last Updated

Infineon Ipp65R125C7Xksa1
More Varieties
Dispositivi elettronici
Accessori dispositivi elettronici
Splitter e interruttori audio e video

Rating :- 9.79 /10
Votes :- 49
Current Sense Res, 2000 Μohm, 1%, 4 W; Resistenza:0.002Ohm; Gamma Prodotti:Serie Ebw; Modello Case Resistore:Smd; Livello Di Potenza:4W; Tolleranza Resistenza:± 1%; Materiale Elemento Resistivo:Nichelcromo (Lega Nicr); C |OHMITE EBWA-NR0020FE
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Resistori
  • Componenti passivi
  • Ohmite
    • Current Sense Res, 0R001, 1%, 4 W, Smd; Resistenza:0.001Ohm; Gamma Prodotti:Serie Ebw; Modello Case Resistore:Smd; Livello Di Potenza:4W; Tolleranza Resistenza:± 1%; Materiale Elemento Resistivo:Manganina; Coefficiente D |OHMITE EBWA-MR0010FET
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Resistori
  • Componenti passivi
  • Ohmite
    • Current Sense Res, 0R0005, 1%, 5 W, Smd; Resistenza:500Μohm; Gamma Prodotti:Serie Ebw; Modello Case Resistore:Smd; Livello Di Potenza:5W; Tolleranza Resistenza:± 1%; Materiale Elemento Resistivo:Manganina; Coefficiente D |OHMITE EBWA-MR0005FET
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Resistori
  • Componenti passivi
  • Ohmite
    • Current Sense Res, 500 Μohm, 1%, 5 W; Resistenza:500Μohm; Gamma Prodotti:Serie Ebw; Modello Case Resistore:Smd; Livello Di Potenza:5W; Tolleranza Resistenza:± 1%; Materiale Elemento Resistivo:Manganina; Coefficiente Di T |OHMITE EBWA-MR0005FE
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Resistori
  • Componenti passivi
  • Ohmite
    • Mosfet, Canale N, 650V, 24A, To-247-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:24A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.404Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPW65R190C7XKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 650V, 8A, To-220Fp-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.168Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPA65R190C7XKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 650V, 18A, To-220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPP65R125C7XKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Accessori dispositivi elettronici
  • Splitter e interruttori audio e video
  • Splitter e interruttori DVI
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 650V, 24A, To-247-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:24A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.084Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPW65R095C7XKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 650V, 18A, To-220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPP65R125C7XKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Accessori dispositivi elettronici
  • Splitter e interruttori audio e video
  • Splitter e interruttori DVI
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 650V, 24A, To-247-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:24A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.084Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPW65R095C7XKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon