Mosfet, Canale N, 600V, 12A, To-220F; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.32Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio ,VISHAY SIHA12N60E-E3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Siha12N60E-E3
Specifications of Vishay Siha12N60E-E3 | |
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