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Onsemi

Onsemi Mb1S

About The Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Soic; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.Raddrizzatore A Ponte, 0

Raddrizzatore A Ponte, 0.5A, 100V; No. Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Soic; Tensione Diretta Vf Max:1V; No. Di Pin:4P ,ONSEMI MB1S

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Specifications of Onsemi Mb1S

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Rating :- 8.32 /10
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Diodo, Raddrizz, 2A, 50V, Smb; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:50V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Μs; Corrente Di Picco D |ONSEMI S2A
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    • Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Soic; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.

    Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Soic; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.

    Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Mb4S Series; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:35A; Dissipazione Di Potenza Pd:1.2Mm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Di Ingresso Rms:280V; Tipo Di Montaggio Diodo:Smd; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI MB4S Raddrizzatore A Ponte, 0. Onsemi Mb4S.4W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Esterna:4.

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    • Diodo, Veloce, 2A, 100V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:900Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente D |ONSEMI ES2B
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