reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Componenti
Connettori per componenti elettronici
Onsemi

Onsemi Gf1B

Onsemi Gf1B

896Mm; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Do-214; Temperatura Di Esercizio Min:-65°C; Tipo Di Diodo:Standard Recovery; Tipo Di Montaggio Diodo:Smd; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI GF1B.8W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65°C A +175°C; Larghezza Esterna:4.597Mm; Lunghezza/Altezza Esterna:2.Diodo, Radd.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Pin:2Pin; Gamma Prodotti:Gf1G Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Di Uscita Max:1A; Dissipazione Di Potenza Pd:1.8W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65°C A +175°C; Larghezza Esterna:4.597Mm; Lunghezza/Altezza Esterna:2.438Mm; No.

    Di Pin:2Pin; Gamma Prodotti:Gf1G Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Di Uscita Max:1A; Dissipazione Di Potenza Pd:1.8W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65°C A +175°C; Larghezza Esterna:4.597Mm; Lunghezza/Altezza Esterna:2.438Mm; No.

    Di Fasi:Singola Fase; Profondità Esterna:2.896Mm; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Do-214; Temperatura Di Esercizio Min:-65°C; Tipo Di Diodo:Standard Recovery; Tipo Di Montaggio Diodo:Smd; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI GF1G Diodo,400V,1A,do214Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Μs; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:30A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):35A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Modulo; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):35A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Modulo; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Raddrizz, 1A, 50V, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:50V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Μs; Corrente Di Picco D |ONSEMI GF1A
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Radd.

    Diodo, Radd.

    Onsemi Gf1B 1A, 100V, Do-214Ba; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Μs; Corrente Di Picco D |ONSEMI GF1B.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo,400V,1A,do214Ac; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Μs; Corrente Di Picco Diretta Ifs |ONSEMI GF1G
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Soic; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Soic; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Raddrizz, 2A, 50V, Smb; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:50V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Μs; Corrente Di Picco D |ONSEMI S2A
  • Dispositivi elettronici
  • Componenti
  • Connettori per componenti elettronici
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Veloce, 1A, 200V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:50Ns; Corrente Di P |ONSEMI EGF1D
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Veloce, 1A, 50V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:50V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:920Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:15Ns; Corrente Di |ONSEMI ES1A
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Veloce, 2A, 100V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:900Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente D |ONSEMI ES2B
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Soic; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.

    Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Soic; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.

    Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Mb4S Series; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:35A; Dissipazione Di Potenza Pd:1.5A, 400V; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Raddrizz, 2A, 50V, Smb; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:50V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.15V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:2Μs; Corrente Di Picco D |ONSEMI S2A
  • Dispositivi elettronici
  • Componenti
  • Connettori per componenti elettronici
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Veloce, 1A, 200V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:50Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:30A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Egf1D Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:30A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65°C A +175°C; No.

    Diodo, Veloce, 1A, 200V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:50Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:30A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Egf1D Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:30A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65°C A +175°C; No.

    Onsemi Egf1D Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Min:-65°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:175°C; Tempo Di Recupero Inverso Trr Tipico:50Ns; Tensione Diretta:1V; Tipo Di Diodo:Fast Recovery; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI EGF1D.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Veloce, 1A, 50V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:50V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:920Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:15Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:30A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Es1A Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:30A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -50°C A +150°C; No.

    Diodo, Veloce, 1A, 50V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:50V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:920Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:15Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:30A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Es1A Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:30A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -50°C A +150°C; No.

    Onsemi Es1A Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Min:-50°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:175°C; Tempo Di Recupero Inverso Trr Tipico:15Ns; Tensione Diretta:920Mv; Tipo Di Diodo:A Recupero Ultra-Veloce; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI ES1A.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Veloce, 2A, 100V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:900Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:50A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Aa; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Es2B Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:50A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; No.

    Diodo, Veloce, 2A, 100V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:900Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:50A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Aa; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Es2B Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:50A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; No.

    Onsemi Es2B Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Tempo Di Recupero Inverso Trr Tipico:20Ns; Tensione Diretta:900Mv; Tipo Di Diodo:A Recupero Ultra-Veloce; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI ES2B.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Veloce, 2A, 200V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:900Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:50A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Aa; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Es2D Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:50A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; No.

    Diodo, Veloce, 2A, 200V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:900Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:50A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Aa; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Es2D Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:50A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; No.

    Onsemi Es2D Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Tempo Di Recupero Inverso Trr Tipico:20Ns; Tensione Diretta:900Mv; Tipo Di Diodo:Fast Recovery; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI ES2D.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Veloce, 3A, 100V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:950Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:100A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ab; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Es3B Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:100A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -50°C A +150°C; No.

    Diodo, Veloce, 3A, 100V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:950Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:100A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ab; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Es3B Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:100A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -50°C A +150°C; No.

    Onsemi Es3B Di Pin:2Pin; Temperatura Di Esercizio Min:-50°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Tempo Di Recupero Inverso Trr Tipico:20Ns; Tensione Diretta:950Mv; Tipo Di Diodo:Fast Recovery; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI ES3B.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Veloce, 1A, 1000V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1Kv; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:500Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:30A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.

    Diodo, Veloce, 1A, 1000V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1Kv; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.3V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:500Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:30A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.

    Onsemi Rgf1M Di Pin:2Pin; Gamma Prodotti:Rgf1M Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:30A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65°C A +175°C; Numero Di Pin:2 Pin; Temperatura Di Esercizio Min:-65°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:175°C; Tempo Di Recupero Inverso Trr Tipico:500Ns; Tensione Diretta:1.3V; Tipo Di Diodo:Fast Recovery; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI RGF1M.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Veloce, 1A, 1200V, Smd, Smb; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:1.2Kv; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.65V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:75Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:18A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Aa; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Stth1 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018); Corrente Ifsm:18A; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Diodo, Veloce, 1A, 600V, Smd, Smb; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:45Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:25A; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Modello Involucro Diodo:Do-214Aa; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Stth1 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018); Corrente Ifsm:20A; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Diodo, Schottky, 1A, 20V, Smd; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:20V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.

    Diodo, Schottky, 1A, 20V, Smd; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:20V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.

    Onsemi Ss12 Di Pin:2Pin; Tensione Diretta Vf Max:500Mv; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:40A; Temperatura Di Esercizio Max:125°C; Gamma Prodotti:Ss12 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Ifsm:40A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -65°C A +125°C; Tecnologia Semiconduttori:Si; Temperatura Di Esercizio Min:-65°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:125°C; Tensione Diretta:500Mv; Tipo Di Diodo:Schottky; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI SS12.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Schottky, 1A, 40V, Smd; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:40V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Do-214Ac; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Schottky, 2A, 50V, Smd; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:50V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Do-214Aa; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Schottky, 3A, 60V, Smd; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:60V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Modello Involucro Diodo:Do-214Ab; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Schottky, 2A, 23V; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:23V; Corrente Diretta If(Av):1A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:620Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:5A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Minidip; Numero Di Pin:2 Pin; Gamma Prodotti:Bat20 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018); Corrente Ifsm:5A; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Discreti
  • Stmicroelectronics
    • Diodo, Veloce, 2A, 200V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):2A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:900Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente D |ONSEMI ES2D
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Diodo, Veloce, 3A, 100V, Smd, Do-214; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:100V; Corrente Diretta If(Av):3A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:950Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:20Ns; Corrente D |ONSEMI ES3B
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • PREVIOUS 298073 298074 298075 298076 298077 298078 298079 298080 298081 298082 298083 298084 298085 298086 298087 298088 298089 NEXT