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Vishay Sihj10N60E-T1-Ge3

About The 313Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4.Mosfet, Ca-N, 600V, 10A, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Ca-N, 600V, 10A, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:10A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.313Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:89W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:E Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) ,VISHAY SIHJ10N60E-T1-GE3

Semiconduttori - Discreti

Vishay Sihj10N60E-T1-Ge3

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Specifications of Vishay Sihj10N60E-T1-Ge3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
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Vishay Sic462Ed-T1-Ge3

Vishay Sic462Ed-T1-Ge3

Conv. Di Pin: |VISHAY SIC462ED-T1-GE3 48V/Powerpakmlp55; Topologia:Buck Sincrono (Step Down); Tensione Di Ingresso Min:4.Di Uscite:1Uscite; Formato Ic Convertitore Cc/Cc:Powerpak Mlp55; No.

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    • Scheda, Test Transiente Carico Veloce; Produttore Chip:Picaxe; Numero Core Chip:Picaxe-08M2; Tipo Di Applicazione Kit:Gestione Alimentazione; Sottotipo Applicazione:Test Convertitore Cc/Cc; Architettura Core:-; Sub-Arc |RICHTEK RD0004
  • Veicoli e parti
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    • Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 150V, Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.07Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:7.1W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 150V, Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.07Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:7.1W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Vishay Sq4080Ey-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SQ4080EY-T1_GE3.

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    • Mosfet, Ca-N 30V, 16A, Powerpak 1212; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0073Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:26.5W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Mosfet, Ca-N 30V, 16A, Powerpak 1212; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0073Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:26.5W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Vishay Sisa96Dn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SISA96DN-T1-GE3.

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    Mosfet, Ca-N 30V, 16A, Powerpak 1212; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0073Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:26.5W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Vishay Sisa96Dn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SISA96DN-T1-GE3.

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