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Mosfet, Ca-N 30V, 16A, Powerpak 1212; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0073Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:26.5W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

Mosfet, Ca-N 30V, 16A, Powerpak 1212; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0073Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:26.5W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

Vishay Sisa96Dn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SISA96DN-T1-GE3.

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    Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 150V, Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.07Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:7.1W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Vishay Sq4080Ey-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SQ4080EY-T1_GE3.

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    • Scheda, Test Transiente Carico Veloce; Produttore Chip:Picaxe; Numero Core Chip:Picaxe-08M2; Tipo Di Applicazione Kit:Gestione Alimentazione; Sottotipo Applicazione:Test Convertitore Cc/Cc; Architettura Core:-; Sub-Arc |RICHTEK RD0004
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    Vishay Sic462Ed-T1-Ge3

    5V; Tensione Di Ingresso Max:60V; No.

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    Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 80V, Powerpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:150A; Tensione Drain Source Vds:80V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:136W; Modello Case Transistor:Powerpak; No.

    Vishay Sqjq480E-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SQJQ480E-T1_GE3.

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    Vishay Sic462Ed-T1-Ge3

    Di Uscite:1Uscite; Formato Ic Convertitore Cc/Cc:Powerpak Mlp55; No.5V; Tensione Di Ingresso Max:60V; No.

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    Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 60V, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0272Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:45W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

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    Mosfet, Auto, Ca-P, -12V Powerpak So; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-60A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0048Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-600Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:68W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

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    Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 40V, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:60A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.005Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:48W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Vishay Sqj860Ep-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SQJ860EP-T1_GE3.

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    Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 60V, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0105Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:48W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

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    Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 60V, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:60A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.004Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:68W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Vishay Sqja02Ep-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SQJA02EP-T1_GE3.

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    Mosfet, Aec-Q101, N-Ch, 60V, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:60A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:68W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Vishay Sqja62Ep-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SQJA62EP-T1_GE3.

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