reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Diodi
Semiconduttori - Discreti
Vishay

Vishay Sihp11N80E-Ge3

About The Mosfet, Ca-N, 800V, 12A, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.38Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SIHP11N80E-GE3

Mosfet, Ca-N, 800V, 12A, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.38Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione ,VISHAY SIHP11N80E-GE3

Semiconduttori - Discreti

Vishay Sihp11N80E-Ge3

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Vishay Sihp11N80E-Ge3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
Instockinstock

Last Updated

Vishay Sihp11N80E-Ge3
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.22 /10
Votes :- 51
Mosfet, Ca-N, 40V, 30A, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:48W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

Mosfet, Ca-N, 40V, 30A, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:48W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

Vishay Sqja88Ep-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SQJA88EP-T1_GE3.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Doppio Ca-N 100V Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:11.3A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.078Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):1 |VISHAY SQJB70EP-T1_GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Ca-N, 40V, 30A, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |VISHAY SQJA88EP-T1_GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Ca-N, 800V, 15A, To-220Fp; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:15A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SIHA17N80E-E3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Ca-N, 800V, 15A, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:15A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SIHP17N80E-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Ca-N, 800V, 15A, To-247Ac; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:15A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.25Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SIHG17N80E-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Ca-N, 800V, 12A, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.38Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SIHP11N80E-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Morsettiera Innestabile, 6Pos, 12Awg; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

    Morsettiera Innestabile, 6Pos, 12Awg; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

    Wago 231-636 Di Posizioni:6Vie; Dimensione Cavi (Awg):Da 28Awg A 12Awg; Area Conduttore Csa:2.5Mm²; Metodo Connessione Cavo:Morsetto; Corrente Nominale:12A; Tensione |WAGO 231-636.

  • Articoli di ferramenta
  • Forniture elettriche
  • Connettori e terminali cavo
  • Connettori
  • Wago
    • Mosfet, Ca-N, 800V, 12A, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.38Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SIHP11N80E-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Morsettiera Innestabile, 6Pos, 12Awg; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

    Morsettiera Innestabile, 6Pos, 12Awg; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

    5Mm²; Metodo Connessione Cavo:Morsetto; Corrente Nominale:12A; Tensione |WAGO 231-636.Wago 231-636 Di Posizioni:6Vie; Dimensione Cavi (Awg):Da 28Awg A 12Awg; Area Conduttore Csa:2.

  • Articoli di ferramenta
  • Forniture elettriche
  • Connettori e terminali cavo
  • Connettori
  • Wago