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Wago

Morsettiera Innestabile, 5Pos, 12Awg; Distanza Di Passo:5Mm; No.

Morsettiera Innestabile, 5Pos, 12Awg; Distanza Di Passo:5Mm; No.

5Mm²; Metodo Connessione Cavo:Morsetto; Corrente Nominale:12A; Tensione No |WAGO 231-605.Wago 231-605 Di Posizioni:5Vie; Dimensione Cavi (Awg):Da 28Awg A 12Awg; Area Conduttore Csa:2.

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    Wago 231-608 Di Posizioni:8Vie; Dimensione Cavi (Awg):Da 28Awg A 12Awg; Area Conduttore Csa:2.

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    Wago 231-610 Di Posizioni:10Vie; Dimensione Cavi (Awg):Da 28Awg A 12Awg; Area Conduttore Csa:2.5Mm²; Metodo Connessione Cavo:Morsetto; Corrente Nominale:12A; Tensione |WAGO 231-610.

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    • Morsettiera Innestabile, 3Pos, 12Awg; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

    Morsettiera Innestabile, 3Pos, 12Awg; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

    5Mm²; Metodo Connessione Cavo:Morsetto; Corrente Nominale:12A; Tensione |WAGO 231-633.

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    • Morsettiera Innestabile, 6Pos, 12Awg; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

    Morsettiera Innestabile, 6Pos, 12Awg; Distanza Di Passo:5.08Mm; No.

    Wago 231-636 Di Posizioni:6Vie; Dimensione Cavi (Awg):Da 28Awg A 12Awg; Area Conduttore Csa:2.

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    • Mosfet, Ca-N, 800V, 12A, To-220Ab; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:12A; Tensione Drain Source Vds:800V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.38Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SIHP11N80E-GE3
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    • Mosfet, Ca-N, 40V, 30A, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |VISHAY SQJA88EP-T1_GE3
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    • Mosfet, Doppio Ca-N 100V Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:11.3A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.078Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):1 |VISHAY SQJB70EP-T1_GE3
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    • Mosfet, Ca-N, 40V, 30A, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:48W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Mosfet, Ca-N, 40V, 30A, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0058Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:48W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Vishay Sqja88Ep-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SQJA88EP-T1_GE3.

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    • Mosfet, Doppio Ca-N 100V Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:11.3A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.078Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:27W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Mosfet, Doppio Ca-N 100V Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:11.3A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.078Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:27W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Vishay Sqjb70Ep-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (12-Jan-2017) |VISHAY SQJB70EP-T1_GE3.

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    • Terminal Block Marker Adapter Kit; Accessory Type:Terminal Block Marker Adapter Kit; For Use With:Tdp43Me Printer; Legend:-; Pitch Spacing:-; Product Range:- |PANDUIT TDP43ME-TB-KIT.
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    • Diodo, Aec-Q101, 0.2A, 250V, Sod-323; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:250V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:50Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:10A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sod-323; No.
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    • Diodo, Aec-Q101, 0.1A, 20V, Sot-346; Configurazione Diodo:Serie, Doppio; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:20V; Corrente Diretta If(Av):100Ma; Tensione Diretta Vf Max:1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:300Ma; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-346; No.
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    • Diodo, Aec-Q101, 0.1A, 80V, Sot-346; Configurazione Diodo:Serie, Doppio; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:80V; Corrente Diretta If(Av):100Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.2V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:300Ma; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-346; No.
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    • Rettificatore Doppio 6A 400V To-252; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:400V; Corrente Diretta If(Av):6A; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:1.1V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:-; Corrente Di Pic |ROHM RR601BM4SFHTL
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    • Diodo, Aec-Q101, 0.2A, 250V, Sod-323; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:250V; Corrente Diretta If(Av):200Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.25V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:50Ns; Corrent |ROHM BAS21VMFHTE-17
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    • Diodo, Aec-Q101, 0.1A, 80V, Sot-346; Configurazione Diodo:Anodo Comune, Doppio; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:80V; Corrente Diretta If(Av):100Ma; Tensione Diretta Vf Max:1.2V; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:4Ns; Corrente Di Picco Diretta Ifsm Max:4A; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Modello Involucro Diodo:Sot-346; No.
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    • Rettif, Auto, 0,5A 200V Sod123Fl; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):500Ma; Configurazione Diodo:Singolo; Tensione Diretta Vf Max:950Mv; Tempo Di Recupero Inverso Trr Max:35Ns; Corrente Di |ROHM RFC02MM2STFTR
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