Infineon Bsc160N15Ns5Atma1

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Mosfet, Ca-P, -30V, -70A, To-252; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-70A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0035Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:150W; Modello Case Transistor:To-252; No.

Infineon Ipd042P03L3Gatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPD042P03L3GATMA1.

Mosfet, Ca-N, 150V, 120A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb048N15N5Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB048N15N5ATMA1.

Mosfet, Ca-N, 150V, 174A, To-263-7; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:174A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb044N15N5Atma1 Di Pin:7Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB044N15N5ATMA1.

Modulo Igbt, Ca-N, 1.2Kv, 150A; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Di Collettore Cc:150A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:750W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo |INFINEON FS150R12KT4B9BOSA1

Infineon Fs150R12Kt4B9Bosa1.

Modulo Igbt, Ca-N, 1.2Kv, 600A; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Di Collettore Cc:600A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.

Infineon Ff600R12Ke4Bosa1 |INFINEON FF600R12KE4BOSA1.

Diodi

Infineon Bts3142Datma1

028Ohm; Modello Case Switch Di Distribuzione:To-252; No.Aec-Q100 42V, To-252-3; Tipo Di Interruttore Di Carico Alimentazione:Lato Basso; Tensione Di Ingresso:42V; Corrente Limite:-; Resistenza Di On:0.

Chip e circuiti integrati

Semiconduttori - Circuiti integrati

Mosfet, Ca-N, 150V, 56A, Tdson-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:56A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0137Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:96W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

Infineon Bsc160N15Ns5Atma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON BSC160N15NS5ATMA1.