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Mosfet, Ca-N, 30V, 11A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.011Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |INFINEON IRF7807ZTRPBF
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    Mosfet, Ca-N, 30V, 11A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.011Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Infineon Irf7807Ztrpbf Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRF7807ZTRPBF.

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    Mosfet, Ca-N, 150V, 5,1A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5.1A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Infineon Irf7815Trpbf Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRF7815TRPBF.

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    Mosfet, Ca-N, 30V, 140A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:140A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.006Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:200W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irl3803Strlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRL3803STRLPBF.

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    Mosfet, Ca-N, 200V, 17A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:17A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.165Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:5.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:140W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Infineon Irfr15N20Dtrpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRFR15N20DTRPBF.

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    Mosfet, Ca-N, 75V, 80A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:80A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00734Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:140W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irfs3607Trlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRFS3607TRLPBF.

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    Mosfet, Ca-N, 60V, 43A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:43A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0126Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:71W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irfs3806Trlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRFS3806TRLPBF.

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    Infineon Irfs4229Trlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRFS4229TRLPBF.

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    Mosfet, Ca-N, 100V, 55A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:55A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.026Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:200W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irl2910Strlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRL2910STRLPBF.

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    Mosfet, Ca-N, 40V, 195A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:195A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:375W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irls3034Trlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRLS3034TRLPBF.

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    Mosfet, Ca-N, 40V, 360A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:360A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):500Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:416W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irl40Sc228 Di Pin:7Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Strongirfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRL40SC228.

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    • Mosfet, Ca-N, 30V, 150A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:150A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0031Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.3V; Dissipazione Di Potenza Pd:140W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, Ca-N, 30V, 150A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:150A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0031Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.3V; Dissipazione Di Potenza Pd:140W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irl7833Strlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRL7833STRLPBF.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Morsetto Vite, Acciaio, 50N, 30Mm X 10Mm; Tipo Di Accessorio:Morsetto A Vite; Utilizzare Con:Moduli Infineon Igbt; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON SCREWCLAMPEASY750GEXOXA1
  • Veicoli e parti
  • Componenti e accessori per auto
  • Parti e accessori imbarcazioni
  • Parti barche a vela
  • Moduli e adattatori wireless
  • Infineon
    • Relé Mosfet, 0.55A, 100Vdc, Smd; Configurazione Contatti:Spst-Na; Corrente Di Carico:550Ma; Terminali Relé:Smd; Tensione Di Carico Max:100Vdc; Resistenza Stato On Max:1.5Ohm; Tensione Di Isolamento:4Kv; Corrente Diretta |INFINEON PVD1352NSPBF
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Interruttori e relè
  • Infineon
    • Driver Mosfet, Lato Basso, Sot-23-5; Configurazione Driver:Low Side; Corrente Di Picco In Uscita:8A; Tensione Di Alimentazione Min:4.5V; Tensione Di Alimentazione Max:20V; Modello Case Driver:Sot-23; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Circuiti integrati
  • Infineon
    • Mosfet, Ca-N, 100V, 180A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:180A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:370W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, Ca-N, 100V, 180A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:180A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:370W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irls4030Trlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRLS4030TRLPBF.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Driver Mosfet, Lato Basso, Sot-23-5; Configurazione Driver:Low Side; Corrente Di Picco In Uscita:8A; Tensione Di Alimentazione Min:4.5V; Tensione Di Alimentazione Max:20V; Modello Case Driver:Sot-23; No.

    Driver Mosfet, Lato Basso, Sot-23-5; Configurazione Driver:Low Side; Corrente Di Picco In Uscita:8A; Tensione Di Alimentazione Min:4.5V; Tensione Di Alimentazione Max:20V; Modello Case Driver:Sot-23; No.

    Infineon 1Edn7512Bxtsa1 Di Pin:5Pin; Ritardo Ingresso:19Ns; Ritardo In Uscita:19Ns; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON 1EDN7512BXTSA1.

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  • Semiconduttori - Circuiti integrati
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    • Di Uscite:1Uscite; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q100; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON BTS3118DATMA1
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  • Semiconduttori
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  • Semiconduttori - Circuiti integrati
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    • Driver Mosfet/Igbt, Lato Al/Basso, Wsoic; Configurazione Driver:High Side E Low Side; Corrente Di Picco In Uscita:3A; Tensione Di Alimentazione Min:10V; Tensione Di Alimentazione Max:20V; Modello Case Driver:Wsoic; No.

    Driver Mosfet/Igbt, Lato Al/Basso, Wsoic; Configurazione Driver:High Side E Low Side; Corrente Di Picco In Uscita:3A; Tensione Di Alimentazione Min:10V; Tensione Di Alimentazione Max:20V; Modello Case Driver:Wsoic; No.

    Infineon Ir2010Strpbf Di Pin:16Pin; Ritardo Ingresso:95Ns; Ritardo In Uscita:65Ns; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:125°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IR2010STRPBF.

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