reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Bsc160N15Ns5Atma1

About The 0137Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.Mosfet, Ca-N, 150V, 56A, Tdson-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:56A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0

Mosfet, Ca-N, 150V, 56A, Tdson-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:56A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0137Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:96W; Modello Case Transistor:Tdson; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON BSC160N15NS5ATMA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Bsc160N15Ns5Atma1

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Bsc160N15Ns5Atma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Infineon Bsc160N15Ns5Atma1
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.13 /10
Votes :- 55
Mosfet, Ca-N, 150V, 120A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Mosfet, Ca-N, 150V, 120A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Ipb048N15N5Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB048N15N5ATMA1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Ca-N, 150V, 174A, To-263-7; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:174A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, Ca-N, 150V, 174A, To-263-7; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:174A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb044N15N5Atma1 Di Pin:7Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB044N15N5ATMA1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Modulo Igbt, Ca-N, 1.2Kv, 150A; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Di Collettore Cc:150A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:750W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo |INFINEON FS150R12KT4B9BOSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Modulo Igbt, Ca-N, 1.2Kv, 600A; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Di Collettore Cc:600A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Modulo Igbt, Ca-N, 1.2Kv, 600A; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Di Collettore Cc:600A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon