Modulo Igbt, Ca-N, 1.2Kv, 600A; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Di Collettore Cc:600A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:-; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1. ,INFINEON FF600R12KE4BOSA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Ff600R12Ke4Bosa1
Specifications of Infineon Ff600R12Ke4Bosa1 | |
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