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Infineon Fs150R12Kt4B9Bosa1

About The 2Kv, 150A; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Di Collettore Cc:150A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:750W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo |INFINEON FS150R12KT4B9BOSA1

Modulo Igbt, Ca-N, 1.2Kv, 150A; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Di Collettore Cc:150A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.75V; Dissipazione Di Potenza Pd:750W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo ,INFINEON FS150R12KT4B9BOSA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Fs150R12Kt4B9Bosa1

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Fs150R12Kt4B9Bosa1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Infineon Fs150R12Kt4B9Bosa1
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Mosfet, Auto, Ca-N, 150V, 114A, Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.001Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:150W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

Mosfet, Auto, Ca-N, 150V, 114A, Tdson; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.001Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:150W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

Infineon Ipc100N04S51R2Atma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPC100N04S51R2ATMA1.

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    • Di Uscite:1Uscite; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q100; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON BTS3142DATMA1

    Di Uscite:1Uscite; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q100; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON BTS3142DATMA1

    Di Pin:3Pin; Protezione Termica:Si; Polarità Ingresso On/Attivazione:Attivo Basso; No. Int. Pot. Infineon Bts3142Datma1 Aec-Q100 42V, To-252-3; Tipo Di Interruttore Di Carico Alimentazione:Lato Basso; Tensione Di Ingresso:42V; Corrente Limite:-; Resistenza Di On:0.

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    • Mosfet, Ca-P, -30V, -70A, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-70A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0035Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:150W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Mosfet, Ca-P, -30V, -70A, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-70A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0035Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:150W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Infineon Ipd042P03L3Gatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPD042P03L3GATMA1.

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    • Mosfet, Ca-N, 150V, 120A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, Ca-N, 150V, 120A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb048N15N5Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB048N15N5ATMA1.

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    • Mosfet, Ca-N, 150V, 120A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, Ca-N, 150V, 120A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:300W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb048N15N5Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPB048N15N5ATMA1.

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