ALWAYS ^{Be Happy}

Categories

Play Games ^New

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ipd50N06S4L12Atma2

About The Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 60V, 50A, To-252; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0096Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1

Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 60V, 50A, To-252; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0096Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:50W; Modello Case Transistor:To-252; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Optimos T2 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON IPD50N06S4L12ATMA2

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ipd50N06S4L12Atma2

Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 60V, 25A, To-252; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:25A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.023Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:29W; Modello Case Transistor:To-252; No.

Mosfet, Ca-N, 500V, 2,6A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.6A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):13V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:26W; Modello Case Transistor:To-252; No.

More from Transistor? Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Optimos T2 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPD50N06S4L12ATMA2

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Ipd50N06S4L12Atma2
Category	Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instock	instock

Last Updated June 12th, 2024 02:00 am

Infineon Ipd50N06S4L12Atma2

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Rating :- 8.13 /10

Votes :- 51

Mosfet, Ca-N, 150V, 174A, To-263-7; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:174A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0034Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPB044N15N5ATMA1

Infineon Ipb044N15N5Atma1.

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti

Mosfet, Ca-N, 700V, 4A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:22.7W; Modello Case Transistor:To-252; No.

Infineon Ipd70R1K4P7Sauma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPD70R1K4P7SAUMA1.

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti

Mosfet, Canale N, 600V, 18A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.145Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:72W; Modello Case Transistor:To-252; No.

Infineon Ipd60R180P7Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Coolmos P7 Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPD60R180P7ATMA1.

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti

Mosfet, Ca-N, 250V, 5A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.37Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:41W; Modello Case Transistor:To-252; No.

Infineon Ipd5N25S3430Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Optimos T Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPD5N25S3430ATMA1.

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti

Mosfet, Ca-N, 250V, 5A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.37Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:41W; Modello Case Transistor:To-252; No.

Infineon Ipd5N25S3430Atma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Optimos T Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPD5N25S3430ATMA1.

Dispositivi elettronici

Circuiti stampati e componenti

Semiconduttori - Discreti