Infineon Ipg20N06S4L26Aatma1

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Mosfet, Aec-Q101, Doppio, Ca-N, 60V, 20A; PolaritÃ Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On): |INFINEON IPG20N06S4L26AATMA1

Infineon Ipg20N06S4L26Aatma1.

Mosfet, Ca-N, 700V, 6A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.74Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |INFINEON IPD70R900P7SAUMA1

Infineon Ipd70R900P7Sauma1.

Mosfet, Ca-N, 700V, 4A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:4A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |INFINEON IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Ipd70R1K4P7Sauma1.

Mosfet, Canale N, 600V, 18A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.145Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tens |INFINEON IPD60R180P7ATMA1

Infineon Ipd60R180P7Atma1.

Mosfet, Ca-N, 250V, 5A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5A; Tensione Drain Source Vds:250V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.37Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |INFINEON IPD5N25S3430ATMA1

Infineon Ipd5N25S3430Atma1.

Mosfet, Ca-N, 500V, 2,6A, To-252-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:2.6A; Tensione Drain Source Vds:500V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2.7Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):13V; Tensione |INFINEON IPD50R3K0CEAUMA1

Infineon Ipd50R3K0Ceauma1.

Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 60V, 50A, To-252; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0096Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON IPD50N06S4L12ATMA2

Infineon Ipd50N06S4L12Atma2.

Mosfet, Aec-Q101, Doppio, Ca-N, 60V, 20A; PolaritÃ Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:33W; Modello Case Transistor:Tdson; No.

Infineon Ipg20N06S4L26Aatma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Optimos T2 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPG20N06S4L26AATMA1.

Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 60V, 50A, To-252; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0096Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; T |INFINEON IPD50N06S4L12ATMA2

Infineon Ipd50N06S4L12Atma2.

Mosfet, Aec-Q101, Doppio, Ca-N, 60V, 20A; PolaritÃ Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:33W; Modello Case Transistor:Tdson; No.