reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Semiconduttori - Discreti
Infineon

Infineon Ipg20N06S4L26Aatma1

About The Mosfet, Aec-Q101, Doppio, Ca-N, 60V, 20A; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On): |INFINEON IPG20N06S4L26AATMA1

Mosfet, Aec-Q101, Doppio, Ca-N, 60V, 20A; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On): ,INFINEON IPG20N06S4L26AATMA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ipg20N06S4L26Aatma1

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Infineon Ipg20N06S4L26Aatma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
Instockinstock

Last Updated

Infineon Ipg20N06S4L26Aatma1
More Varieties
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori

Rating :- 8.12 /10
Votes :- 50
Mosfet, Ca-N, 40V, 120A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:200W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Mosfet, Ca-N, 40V, 120A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:200W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Irf1404Zstrlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRF1404ZSTRLPBF.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Ca-N, 60V, 79A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:79A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0071Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:110W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, Ca-N, 60V, 79A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:79A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0071Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:110W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irf1018Estrlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRF1018ESTRLPBF.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Ca-N, 40V, 40A, Tsdson-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0022Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:71W; Modello Case Transistor:Tsdson; No.

    Mosfet, Ca-N, 40V, 40A, Tsdson-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0022Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:71W; Modello Case Transistor:Tsdson; No.

    Infineon Ipz40N04S5L2R8Atma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPZ40N04S5L2R8ATMA1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 600V, 76A, To-247-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:76A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPW60R037P7XKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Canale N, 200V, 96A, Hsof-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:96A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.009Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON IPT111N20NFDATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Ca-N, 150V, 112A, To-220-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:112A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0059Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPP076N15N5AKSA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Aec-Q101, Doppio, Ca-N, 60V, 20A; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On): |INFINEON IPG20N06S4L26AATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Ca-N, 700V, 6A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.74Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |INFINEON IPD70R900P7SAUMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Aec-Q101, Doppio, Ca-N, 60V, 20A; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:20A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On): |INFINEON IPG20N06S4L26AATMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon
    • Mosfet, Ca-N, 700V, 6A, To-252-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:700V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.74Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di |INFINEON IPD70R900P7SAUMA1
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Infineon