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Infineon Ipt111N20Nfdatma1

About The .009Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |INFINEON IPT111N20NFDATMA1

Mosfet, Canale N, 200V, 96A, Hsof-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:96A; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.009Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio ,INFINEON IPT111N20NFDATMA1

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Infineon Ipt111N20Nfdatma1

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Specifications of Infineon Ipt111N20Nfdatma1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Infineon Ipt111N20Nfdatma1
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Mosfet, Ca-N, 75V, 82A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:82A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.013Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:200W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Mosfet, Ca-N, 75V, 82A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:82A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.013Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:200W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Irf2807Strlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRF2807STRLPBF.

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    Mosfet, Ca-N, 40V, 120A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:200W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irf1404Zstrlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRF1404ZSTRLPBF.

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    Mosfet, Ca-N, 60V, 79A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:79A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0071Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:110W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Irf1018Estrlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRF1018ESTRLPBF.

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    Mosfet, Ca-N, 40V, 40A, Tsdson-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0022Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:71W; Modello Case Transistor:Tsdson; No.

    Infineon Ipz40N04S5L2R8Atma1 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IPZ40N04S5L2R8ATMA1.

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