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Infineon Ipz40N04S5L2R8Atma1

About The Mosfet, Ca-N, 40V, 40A, Tsdson-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:71W; Modello Case Transistor:Tsdson; No

Mosfet, Ca-N, 40V, 40A, Tsdson-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0022Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.6V; Dissipazione Di Potenza Pd:71W; Modello Case Transistor:Tsdson; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Optimos 5 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON IPZ40N04S5L2R8ATMA1

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Mosfet, Canale N, 600V, 76A, To-247-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:76A; Tensione Drain Source Vds:600V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |INFINEON IPW60R037P7XKSA1

Mosfet, Ca-N, 60V, 79A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:79A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0071Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:110W; Modello Case Transistor:To-263; No.

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Specifications of Infineon Ipz40N04S5L2R8Atma1
Category	Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Last Updated June 13th, 2024 02:00 pm

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Mosfet, Ca-N, 40V, 40A, Tsdson-8; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:40A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0022Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |INFINEON IPZ40N04S5L2R8ATMA1

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Mosfet, Ca-N, 75V, 75A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:75A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:170W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Irf2807Zstrlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRF2807ZSTRLPBF.

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Mosfet, Ca-N, 75V, 82A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:82A; Tensione Drain Source Vds:75V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.013Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:200W; Modello Case Transistor:To-263; No.

Infineon Irf2807Strlpbf Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) |INFINEON IRF2807STRLPBF.

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Mosfet, Ca-N, 40V, 120A, To-263-3; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:120A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0027Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:200W; Modello Case Transistor:To-263; No.

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