Mosfet, Ca-N, 60V, 79A, To-263-3; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:79A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0071Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:110W; Modello Case Transistor:To-263; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON IRF1018ESTRLPBF
Semiconduttori - Discreti
Infineon Irf1018Estrlpbf
Specifications of Infineon Irf1018Estrlpbf | |
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