Infineon Irf7495Trpbf
About The 018Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.3A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0
Mosfet, Ca-N, 100V, 7,3A, Soic-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:7.3A; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.018Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Hexfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018) ,INFINEON IRF7495TRPBF
Semiconduttori - Discreti
Infineon Irf7495Trpbf
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Infineon Irf7495Trpbf | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
| Instock | instock |
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