Vishay Si1034Cx-T1-Ge3

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Mosfet, Can P, -8V, -12A, Powerpak Sc70; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-12A; Tensione Drain Source Vds:-8V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.013Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; |VISHAY SIA427ADJ-T1-GE3

Vishay Sia427Adj-T1-Ge3.

Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -20V, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.9A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.08Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Te |VISHAY SQ2301ES-T1_GE3

Vishay Sq2301Es-T1_Ge3.

Diodi

Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -60V, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-2.8A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Vishay Sq2361Es-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQ2361ES-T1_GE3.

Vishay Sip32409Dnp-T1-Ge4

Interruttore Car.045Ohm; Modello Case Switch Di Distribuzione:Tdfn; No.

Chip e circuiti integrati

Semiconduttori - Circuiti integrati

Mosfet, Can P, -8V, -12A, Powerpak Sc70; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-12A; Tensione Drain Source Vds:-8V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.013Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-800Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:19W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

Vishay Sia427Adj-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SIA427ADJ-T1-GE3.

Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -20V, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.9A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.08Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Vishay Sq2301Es-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQ2301ES-T1_GE3.

Diodi

Mosfet, Doppio Ca-N, 20V, 0.16A, Sc-89; PolaritÃ Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:610Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.33Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4 |VISHAY SI1034CX-T1-GE3

Vishay Si1034Cx-T1-Ge3.

Vishay Dg419Dy-T1-E3

Di Pin:8Pin |VISHAY DG419DY-T1-E3. Di Canali:1Canali; Resistenza Stato On Max:35Ohm; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Â± 15V; Formato Switch Analogico:Nsoic; No. 1-Ca, Spdt, Nsoic-8; Tipo Di Interruttore, Analogico:Spdt; No.

Chip e circuiti integrati

Semiconduttori - Circuiti integrati