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Di Canali:4Canali; Resistenza Stato On Max:35Ohm; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 5V A 44V; Formato Switch Analogico:Soic; No.

Di Canali:4Canali; Resistenza Stato On Max:35Ohm; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 5V A 44V; Formato Switch Analogico:Soic; No.

Di Pi |VISHAY DG412DY-E3 Sw Analogico, 4Canali, Spst, Soic-16; Tipo Di Interruttore, Analogico:Spst; No. Vishay Dg412Dy-E3.

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    • Di Canali:4Canali; Resistenza Stato On Max:35Ohm; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 5V A 44V; Formato Switch Analogico:Soic; No.

    Di Canali:4Canali; Resistenza Stato On Max:35Ohm; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 5V A 44V; Formato Switch Analogico:Soic; No.

    Di Pi |VISHAY DG413DY-E3 Sw Analogico, 4Canali, Spst, Soic-16; Tipo Di Interruttore, Analogico:Spst; No. Vishay Dg413Dy-E3.

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    • Vishay Dg419Dy-T1-E3

    Vishay Dg419Dy-T1-E3

    Di Pin:8Pin |VISHAY DG419DY-T1-E3.Interuttore An. Di Canali:1Canali; Resistenza Stato On Max:35Ohm; Intervallo Tensione Di Alimentazione:± 15V; Formato Switch Analogico:Nsoic; No. 1-Ca, Spdt, Nsoic-8; Tipo Di Interruttore, Analogico:Spdt; No.

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    • Mosfet, Doppio Ca-N, 20V, 0.16A, Sc-89; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:610Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.33Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4 |VISHAY SI1034CX-T1-GE3
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    • Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -20V, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.9A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.08Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -20V, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.9A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.08Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Vishay Sq2301Es-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQ2301ES-T1_GE3.

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    • Mosfet, Can P, -8V, -12A, Powerpak Sc70; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-12A; Tensione Drain Source Vds:-8V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.013Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-800Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:19W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

    Mosfet, Can P, -8V, -12A, Powerpak Sc70; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-12A; Tensione Drain Source Vds:-8V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.013Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-800Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:19W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

    Vishay Sia427Adj-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SIA427ADJ-T1-GE3.

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    • Vishay Sip32409Dnp-T1-Ge4

    Vishay Sip32409Dnp-T1-Ge4

    045Ohm; Modello Case Switch Di Distribuzione:Tdfn; No.Interruttore Car.3A; Resistenza Di On:0.5V; Corrente Limite:2.

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    Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -60V, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-2.8A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Vishay Sq2361Es-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQ2361ES-T1_GE3.

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    • Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -40V, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.6A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Te |VISHAY SQ2319ADS-T1_GE3
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    • Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -40V, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.6A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -40V, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.6A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Vishay Sq2319Ads-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQ2319ADS-T1_GE3.

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    • Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -40V, Tsop; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-6.9A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.048Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:5W; Modello Case Transistor:Tsop; No.

    Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -40V, Tsop; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-6.9A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.048Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:5W; Modello Case Transistor:Tsop; No.

    Vishay Sq3419Ev-T1_Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQ3419EV-T1_GE3.

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    • Mosfet, Doppio Ca-N 20V, 66A, Sc70; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:4.5A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:7.8W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

    Mosfet, Doppio Ca-N 20V, 66A, Sc70; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:4.5A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1.4V; Dissipazione Di Potenza Pd:7.8W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

    Vishay Sia906Edj-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SIA906EDJ-T1-GE3.

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    • Vishay Sip32431Dnp3-T1Ge4

    Vishay Sip32431Dnp3-T1Ge4

    Di Pin:4Pin; Protezione Termica:-; Polarità Ingresso On/Attivazione:Attivo Alto; No.Interruttore Car.105Ohm; Modello Case Switch Di Distribuzione:Tdfn; No. Potenza, Lato Alto; Tipo Di Interruttore Di Carico Alimentazione:Lato Alto; Tensione Di Ingresso:5.

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    • Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 20V, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:600Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 20V, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:600Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Vishay Sq2310Es-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQ2310ES-T1_GE3.

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    • Mosfet Can N/P, 12V, 4.5A, Powerpak Sc70; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:4.5A; Tensione Drain Source Vds:12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:6.5W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

    Mosfet Can N/P, 12V, 4.5A, Powerpak Sc70; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:4.5A; Tensione Drain Source Vds:12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:6.5W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

    Vishay Sia517Dj-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SIA517DJ-T1-GE3.

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    • Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -40V, Tsop; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-6.9A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.048Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tens |VISHAY SQ3419EV-T1_GE3
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    • Mosfet, Doppio Ca-N 20V, 66A, Sc70; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:4.5A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; |VISHAY SIA906EDJ-T1-GE3
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    • Potenza, Lato Alto; Tipo Di Interruttore Di Carico Alimentazione:Lato Alto; Tensione Di Ingresso:5.5V; Corrente Limite:740Ma; Resistenza Di On:0.105Ohm; Modello Case Switch Di Distribuzione:Tdfn; No.
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  • Accessori audio
  • Accessori per altoparlante
  • Kit e componenti per altoparlanti
  • Semiconduttori - Circuiti integrati
  • Vishay
    • Mosfet, Aec-Q101, Ca-N, 20V, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:6A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tension |VISHAY SQ2310ES-T1_GE3
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    • Mosfet Can N/P, 12V, 4.5A, Powerpak Sc70; Polarità Transistor:Canale N E P; Corrente Continua Di Drain Id:4.5A; Tensione Drain Source Vds:12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.024Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Ca-P, -30V, -24A, Powerpak 1212; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-24A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0175Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:27.8W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Mosfet, Ca-P, -30V, -24A, Powerpak 1212; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-24A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0175Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:27.8W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Vishay Si7619Dn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SI7619DN-T1-GE3.

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  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Ca-P, -12V, -8A, Tsop; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:4.2W; Modello Case Transistor:Tsop; No.

    Mosfet, Ca-P, -12V, -8A, Tsop; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:4.2W; Modello Case Transistor:Tsop; No.

    Vishay Si3477Dv-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SI3477DV-T1-GE3.

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  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Ca-N, 60V, Powerpak-1212; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:39W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Mosfet, Ca-N, 60V, Powerpak-1212; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:39W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Vishay Sqs460En-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQS460EN-T1_GE3.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Ca-P, -30V, -35A, Powerpak 1212; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-35A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0095Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:52.1W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Mosfet, Ca-P, -30V, -35A, Powerpak 1212; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-35A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0095Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:52.1W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Vishay Si7129Dn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SI7129DN-T1-GE3.

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  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -60V, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-20A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:46W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -60V, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-20A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:46W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Vishay Sqd19P06-60L_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQD19P06-60L_GE3.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Auto, Ca-P, -60V Powerpak So; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-52A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0155Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Mosfet, Auto, Ca-P, -60V Powerpak So; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-52A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0155Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Vishay Sqj459Ep-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQJ459EP-T1_GE3.

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