Vishay Sia427Adj-T1-Ge3

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Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -60V, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-2.8A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Ten |VISHAY SQ2361ES-T1_GE3

Vishay Sq2361Es-T1_Ge3.

Potenza, Lato Alto; Tipo Di Interruttore Di Carico Alimentazione:Lato Alto; Tensione Di Ingresso:5.5V; Corrente Limite:2.3A; Resistenza Di On:0.045Ohm; Modello Case Switch Di Distribuzione:Tdfn; No.

Vishay Sip32409Dnp-T1-Ge4.Di |VISHAY SIP32409DNP-T1-GE4 Interruttore Car.

Chip e circuiti integrati

Semiconduttori - Circuiti integrati

Mosfet, Can P, -8V, -12A, Powerpak Sc70; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-12A; Tensione Drain Source Vds:-8V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.013Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; |VISHAY SIA427ADJ-T1-GE3

Vishay Sia427Adj-T1-Ge3.

Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -20V, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.9A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.08Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Te |VISHAY SQ2301ES-T1_GE3

Vishay Sq2301Es-T1_Ge3.

Diodi

Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -60V, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-2.8A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:2W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Vishay Sq2361Es-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQ2361ES-T1_GE3.

Vishay Sip32409Dnp-T1-Ge4

3A; Resistenza Di On:0.

Chip e circuiti integrati

Semiconduttori - Circuiti integrati

Mosfet, Can P, -8V, -12A, Powerpak Sc70; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-12A; Tensione Drain Source Vds:-8V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.013Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-800Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:19W; Modello Case Transistor:Powerpak Sc70; No.

Vishay Sia427Adj-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SIA427ADJ-T1-GE3.

Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -20V, Sot-23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.9A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.08Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3W; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Vishay Sq2301Es-T1_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQ2301ES-T1_GE3.

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