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Vishay Sia906Edj-T1-Ge3

About The Mosfet, Doppio Ca-N 20V, 66A, Sc70; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:4.

Mosfet, Doppio Ca-N 20V, 66A, Sc70; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:4.5A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.037Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; ,VISHAY SIA906EDJ-T1-GE3

Semiconduttori - Discreti

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Specifications of Vishay Sia906Edj-T1-Ge3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Mosfet, Ca-N, 60V, Powerpak-1212; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:39W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

Mosfet, Ca-N, 60V, Powerpak-1212; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:39W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

Vishay Sqs460En-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQS460EN-T1_GE3.

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    • Mosfet, Ca-P, -12V, -8A, Tsop; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:4.2W; Modello Case Transistor:Tsop; No.

    Mosfet, Ca-P, -12V, -8A, Tsop; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:4.2W; Modello Case Transistor:Tsop; No.

    Vishay Si3477Dv-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SI3477DV-T1-GE3.

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    Mosfet, Ca-P, -30V, -24A, Powerpak 1212; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-24A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0175Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:27.8W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

    Vishay Si7619Dn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SI7619DN-T1-GE3.

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    • Potenza, Lato Alto; Tipo Di Interruttore Di Carico Alimentazione:Lato Alto; Tensione Di Ingresso:5.5V; Corrente Limite:740Ma; Resistenza Di On:0.105Ohm; Modello Case Switch Di Distribuzione:Tdfn; No.
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