Vishay Sia517Dj-T1-Ge3

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Mosfet, Auto, Ca-P, -60V Powerpak So; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-52A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0155Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

Vishay Sqj459Ep-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQJ459EP-T1_GE3.

Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -60V, To-252; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-20A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:46W; Modello Case Transistor:To-252; No.

Vishay Sqd19P06-60L_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQD19P06-60L_GE3.

Diodi

Mosfet, Ca-P, -30V, -35A, Powerpak 1212; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-35A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0095Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.8V; Dissipazione Di Potenza Pd:52.1W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

Vishay Si7129Dn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SI7129DN-T1-GE3.

Mosfet, Ca-N, 60V, Powerpak-1212; PolaritÃ Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:39W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

Vishay Sqs460En-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQS460EN-T1_GE3.

Mosfet, Ca-P, -12V, -8A, Tsop; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:4.2W; Modello Case Transistor:Tsop; No.

Vishay Si3477Dv-T1-Ge3 Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SI3477DV-T1-GE3.

Mosfet, Ca-P, -30V, -24A, Powerpak 1212; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-24A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0175Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-3V; Dissipazione Di Potenza Pd:27.8W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No.

Vishay Si7619Dn-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SI7619DN-T1-GE3.