Mosfet, Ca-P, -12V, -8A, Tsop; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-8A; Tensione Drain Source Vds:-12V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.014Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:4.2W; Modello Case Transistor:Tsop; No. Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) ,VISHAY SI3477DV-T1-GE3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si3477Dv-T1-Ge3
Specifications of Vishay Si3477Dv-T1-Ge3 | |
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