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Vishay Sqs460En-T1_Ge3

About The Mosfet, Ca-N, 60V, Powerpak-1212; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQS460EN-T1_GE3

Mosfet, Ca-N, 60V, Powerpak-1212; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:39W; Modello Case Transistor:Powerpak 1212; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) ,VISHAY SQS460EN-T1_GE3

Semiconduttori - Discreti

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Specifications of Vishay Sqs460En-T1_Ge3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Di Canali:4Canali; Resistenza Stato On Max:85Ohm; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 4,5V A 25V; Formato Switch Analogico:Soic; No.

Di Canali:4Canali; Resistenza Stato On Max:85Ohm; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 4,5V A 25V; Formato Switch Analogico:Soic; No.

Vishay Dg211Bdy-T1-E3.Di Pin:16Pin; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:85°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY DG211BDY-T1-E3 Sw Analogico, 4Canali, Spst, Soic-16; Tipo Di Interruttore, Analogico:Spst; No.

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    • Mosfet, Ca-N, 40V, 100A, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):730Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.3V; Dissipazione Di Potenza Pd:104W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Mosfet, Ca-N, 40V, 100A, Powerpak So; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:100A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):730Μohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.3V; Dissipazione Di Potenza Pd:104W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Vishay Sir638Dp-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SIR638DP-T1-GE3.

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    • Mosfet, Auto, Ca-P, -60V Powerpak So; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-52A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0155Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Mosfet, Auto, Ca-P, -60V Powerpak So; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-52A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0155Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:83W; Modello Case Transistor:Powerpak So; No.

    Vishay Sqj459Ep-T1_Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQJ459EP-T1_GE3.

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    Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -60V, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-20A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:46W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Vishay Sqd19P06-60L_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQD19P06-60L_GE3.

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    Mosfet, Aec-Q101, Ca-P, -60V, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-20A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:46W; Modello Case Transistor:To-252; No.

    Vishay Sqd19P06-60L_Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Trenchfet Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2018) |VISHAY SQD19P06-60L_GE3.

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