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Stmicroelectronics

Stmicroelectronics Sts8N6Lf6Ag

About The Mosfet, Aec-Q101, Can N, 60V, 8A, Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.2W; Modello Case Transistor:Soic; No

Mosfet, Aec-Q101, Can N, 60V, 8A, Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.2W; Modello Case Transistor:Soic; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Stripfet F6 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) ,STMICROELECTRONICS STS8N6LF6AG

Semiconduttori - Discreti

Stmicroelectronics Sts8N6Lf6Ag

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Stmicroelectronics Sts8N6Lf6Ag

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Carico Potenz, Lato Bass, -40/150°C; Tipo Di Interruttore Di Carico Alimentazione:Lato Basso; Tensione Di Ingresso:-; Corrente Limite:5A; Resistenza Di On:0.12Ohm; Modello Case Switch Di Distribuzione:Soic; No.
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    • Diodo Tvs, Unidir, To-263; Gamma Prodotti:Transil Ldp01 Series; Polarità Tvs:Unidirezionale; Tensione Di Stand-Off Inversa Vrwm:22V; Tensione Di Bloccaggio Vc Max:42V; Modello Involucro Diodo:To-263; No.
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    • Ldo, Regolabile 30V, 1,5A, -40/125°C; Tipo Di Uscita:Regolabile; Tensione Di Ingresso Min:4.25V; Tensione Di Ingresso Max:30V; Nom.

    Ldo, Regolabile 30V, 1,5A, -40/125°C; Tipo Di Uscita:Regolabile; Tensione Di Ingresso Min:4.25V; Tensione Di Ingresso Max:30V; Nom.

    Stmicroelectronics Ld1086Bdttr Tensione In Uscita Fissa:-; Tensione Min Di Uscita Regolabile:1.25V; Tensione Max Di Usc |STMICROELECTRONICS LD1086BDTTR.

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    • Comparatore, Da -40 A 125°C, Dfn-Ep-8; Tipo Di Comparatore:Micropower; N° Di Comparatori:2 Comparatori; Tempo Di Risposta:200Ns; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 1,6V A 5V; Formato Comparatore:Dfn-Ep; No.

    Comparatore, Da -40 A 125°C, Dfn-Ep-8; Tipo Di Comparatore:Micropower; N° Di Comparatori:2 Comparatori; Tempo Di Risposta:200Ns; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 1,6V A 5V; Formato Comparatore:Dfn-Ep; No.

    Stmicroelectronics Ts332Iq2T Di Pin:8Pin; Tipo Uscita Ci:Drain Aperto; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:125°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |STMICROELECTRONICS TS332IQ2T.

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    • Tensione In Uscita Fissa:-; Tensione Min Di Uscita Regolabile:1.25V; Tensione Max Di Uscita Regolabile:-; Corrente Di Uscita:1.5A; Tensione Dropout Vdo:1.3V; Modello Case Regolatore Ldo:To-252; No.
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    • Op, 3Mhz, Da -40 A 125°C; Numero Di Amplificatori:4 Amplificatori; Larghezza Di Banda:3Mhz; Velocità Di Risposta:1.5V/Μs; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 6V A 30V, Da ±3V A ±15V; Modello Case Amplificatore:Soic; No.

    Op, 3Mhz, Da -40 A 125°C; Numero Di Amplificatori:4 Amplificatori; Larghezza Di Banda:3Mhz; Velocità Di Risposta:1.5V/Μs; Intervallo Tensione Di Alimentazione:Da 6V A 30V, Da ±3V A ±15V; Modello Case Amplificatore:Soic; No.

    Di Pin:14Pin; Temperatura Di Esercizio Min:-40°C; Temperatura Di Esercizio Max:125°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |STMICROELECTRONICS TS514IDT Amp. Stmicroelectronics Ts514Idt.

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    • Mosfet, Aec-Q101, Can N, 60V, 8A, Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.2W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet, Aec-Q101, Can N, 60V, 8A, Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.2W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Stmicroelectronics Sts8N6Lf6Ag Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Stripfet F6 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |STMICROELECTRONICS STS8N6LF6AG.

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    • Stmicroelectronics Vns3Nv04Ptr-E

    Stmicroelectronics Vns3Nv04Ptr-E

    Carico Potenz, Lato Bass, -40/150°C; Tipo Di Interruttore Di Carico Alimentazione:Lato Basso; Tensione Di Ingresso:-; Corrente Limite:5A; Resistenza Di On:0.12Ohm; Modello Case Switch Di Distribuzione:Soic; No.Int.

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    • Mosfet, Aec-Q101, Can N, 60V, 8A, Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.2W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet, Aec-Q101, Can N, 60V, 8A, Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.2W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Stmicroelectronics Sts8N6Lf6Ag Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:Stripfet F6 Series; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q101; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 3 - 168 Ore; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019) |STMICROELECTRONICS STS8N6LF6AG.

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