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Onsemi Gbu8D

About The Raddrizzatore A Ponte, 8A, 200V; No. Di Pin:4Pin; Te |ONSEMI GBU8D

Raddrizzatore A Ponte, 8A, 200V; No. Di Pin:4Pin; Te ,ONSEMI GBU8D Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:200V; Corrente Diretta If(Av):8A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Sip; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.

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Specifications of Onsemi Gbu8D

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Onsemi Gbu8D
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Rating :- 8.16 /10
Votes :- 55
Transistor, Npn, 300V, 0.5A, To-92; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:300V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Corrente Di Collettore Cc:500Ma; Guadagno Di |ONSEMI MPSA42
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    • Transistor, Jfet, N, To-92; Tensione Di Rottura Vbr:-35V; Corrente Drain Min A Tensione Gate Nulla Idss:2Ma; Corrente Drain Max A Tensione Gate Nulla Idss:-; Tensione Di Cutoff Gate-Source Vgs (Off) Max:-3V; Modello Case |ONSEMI J113
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    • Transistor, Jfet, -35V, To-92; Tensione Di Rottura Vbr:-35V; Corrente Drain Min A Tensione Gate Nulla Idss:5Ma; Corrente Drain Max A Tensione Gate Nulla Idss:-; Tensione Di Cutoff Gate-Source Vgs (Off) Max:-5V; Modello C |ONSEMI J112
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    • Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:800V; Corrente Diretta If(Av):8A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Sip; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.
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    • Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:800V; Corrente Diretta If(Av):8A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Sip; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.
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