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Onsemi

Onsemi Gbu8J

About The Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):8A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Sip; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.Raddrizzatore A Ponte, 8A, 600V; No

Raddrizzatore A Ponte, 8A, 600V; No. Di Pin:4Pin; Te ,ONSEMI GBU8J Di Fasi:Singola Fase; Tensione Inversa Ripetitiva Vrrm Max:600V; Corrente Diretta If(Av):8A; Stile Involucro Raddrizzatore A Ponte:Sip; Tensione Diretta Vf Max:1V; No.

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Specifications of Onsemi Gbu8J

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Diodi
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Rating :- 8.15 /10
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Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:48A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.025Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.
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    • Variable Transformer; Transformer Type:Manually Operated; Construction Type:Open; No.

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    Superior Electric 117Cu Of Phases:Single Phase; Frequency Range:50Hz/60Hz; Input Voltage:120V; Output Voltage:120V; Output Current:12A; 05F743 |SUPERIOR ELECTRIC 117CU.

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    • Transistor, Npn, 300V, 0.5A, To-92; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:300V; Frequenza Di Transizione Ft:50Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Corrente Di Collettore Cc:500Ma; Guadagno Di |ONSEMI MPSA42
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    • Transistor, Jfet, N, To-92; Tensione Di Rottura Vbr:-35V; Corrente Drain Min A Tensione Gate Nulla Idss:2Ma; Corrente Drain Max A Tensione Gate Nulla Idss:-; Tensione Di Cutoff Gate-Source Vgs (Off) Max:-3V; Modello Case |ONSEMI J113
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