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Vishay Sihd11N80Ae-Ge3

About The Mosfet, Can N, 800V, 8A, To-252; |VISHAY SIHD11N80AE-GE3

Mosfet, Can N, 800V, 8A, To-252; ,VISHAY SIHD11N80AE-GE3

Semiconduttori - Discreti

Vishay Sihd11N80Ae-Ge3

Semiconduttori - Discreti

Specifications of Vishay Sihd11N80Ae-Ge3

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Vishay Sihd11N80Ae-Ge3
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Induttore Pot, Aec-Q200, 4.7Uh, 1.3A; |BOURNS CC453232A-4R7KL
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