Infineon Ipb60R099Cpatma1
About The 09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:255W; Modello Case Transistor:To-263; No.Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0
Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:255W; Modello Case Transistor:To-263; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:31A; Corrente Di Impulso Idm:93A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:650V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Power Mosfet ,INFINEON IPB60R099CPATMA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Ipb60R099Cpatma1
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Infineon Ipb60R099Cpatma1 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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