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Gel Polimerico Bi-Comp.

Gel Polimerico Bi-Comp.

Raytech Magic Gel 300 300Ml Magic Gel; Tipo Di Composto Per Sigillatura:Silicone; Metodo Di Erogazione:Bottiglia; Colore Composto:Blu; Peso:0.32Kg; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (2 |RAYTECH MAGIC GEL 300.

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    Raytech Magic Fluid 170G Magic Gel; Tipo Di Composto Per Sigillatura:Silicone; Metodo Di Erogazione:Pacchetto; Colore Composto:Blu; Peso:-; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Ju |RAYTECH MAGIC FLUID.

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    Raytech Magic Fluid 210 210 Magic Gel; Tipo Di Composto Per Sigillatura:Silicone; Metodo Di Erogazione:Pacchetto; Colore Composto:Blu; Peso:-; Gamma Prodotti:-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun |RAYTECH MAGIC FLUID 210.

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    • Di |ALTERA EP2C8Q208I8N

    Di |ALTERA EP2C8Q208I8N

    Fpga, Cyclone Ii, 8K Elements, Pqfp208; No.. Di Gradi Di Velocità:8; Bit Totali Ram:165888; No.

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    • Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:23A; Tensione Drain Source Vds:550V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.13Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPA50R140CPXKSA1
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    • Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:16A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.18Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPA60R199CPXKSA1
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    • Mosfet, N, To-220; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:9A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.35Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; |INFINEON IPA60R385CPXKSA1
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    • Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V |INFINEON IPB60R099CPATMA1
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    • Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:192W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:21A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.15Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:192W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb60R165Cpatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:21A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:650V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Power Mosfet |INFINEON IPB60R165CPATMA1.

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    Mosfet, N, To-263; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:31A; Tensione Drain Source Vds:650V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.09Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; Dissipazione Di Potenza Pd:255W; Modello Case Transistor:To-263; No.

    Infineon Ipb60R099Cpatma1 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:31A; Corrente Di Impulso Idm:93A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:650V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale; Tipo Di Transistor:Power Mosfet |INFINEON IPB60R099CPATMA1.

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