Mosfet, N, Sot-23; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:190Ma; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; ,NEXPERIA BST82,215
Semiconduttori - Discreti
Nexperia Bst82,215
Specifications of Nexperia Bst82,215 | |
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