Vishay Si9926Cdy-T1-E3
About The Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Configurazione Modulo:Doppio; Corrente Continua Di Drain Id, Canale N:8A; Corrente Id Max:8A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Di Attivazione Rds(On), Canale N:0.018Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4
Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Configurazione Modulo:Doppio; Corrente Continua Di Drain Id, Canale N:8A; Corrente Id Max:8A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Di Attivazione Rds(On), Canale N:0.015Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Tempo Di Salita:10Ns; Tensione Drain Source Vds, Canale N:20V; Tensione Vds Tipica:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:4.5V; Tensione Vgs Th Max:1.5V; Tensione Vgs Th Min:0.6V ,VISHAY SI9926CDY-T1-E3 Mosfet, Doppio, Nn, So-8; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:8A; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.018Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.1W; Modello Case Transistor:Soic; No.
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si9926Cdy-T1-E3
Semiconduttori - Discreti
Specifications of Vishay Si9926Cdy-T1-E3 | |
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| Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
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