Mosfet, N, So-8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:19A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0074Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:6W; Modello Case Transistor:Soic; No. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jun-2015); Corrente Id Max:12.4A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Tempo Di Salita:150Ns; Tensione Vds Tipica:40V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Max:3V; Tensione Vgs Th Min:1V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale ,VISHAY SI4840BDY-T1-E3
Semiconduttori - Discreti
Vishay Si4840Bdy-T1-E3
Specifications of Vishay Si4840Bdy-T1-E3 | |
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