Vishay Si7415Dn-T1-Ge3

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Mosfet, Canale P, 60V, 0.185A, Sot23; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-185Ma; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:350Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Vishay Tp0610K-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-185Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY TP0610K-T1-GE3.

Semiconduttori - Discreti

Transistor

Vishay

Mosfet, Canale P, -40V, -50A, To-252; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0067Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Te |VISHAY SUD50P04-08-GE3

Vishay Sud50P04-08-Ge3.

Semiconduttori - Discreti

Transistor

Vishay

Mosfet, Canale P, 20V, 4.5A, 8Soic; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tens |VISHAY SI9433BDY-T1-GE3

Vishay Si9433Bdy-T1-Ge3.

Semiconduttori - Discreti

Transistor

Vishay

Con.

Kemet T495D106K035Ate300 10Îf, 35V, 10%, 2917, Bob; CapacitÃ :10Îf; Tensione Nominale:35V; Case Condensatore Al Tantalio:2917 [7343 Metrico]; Gamma Prodotti:Serie T495; Tolleranza CapacitÃ :Â± 10%; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Temperatu |KEMET T495D106K035ATE300.