reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Transistor
Kemet

Con.

Con.

08Ohm; Temperatura Di Esercizio Min |KEMET T520A226M010ATE080.Kemet T520A226M010Ate080 22Μf, 10V, 20%, 1206, Smd; Capacità:22Μf; Tensione Nominale:10V; Gamma Prodotti:Serie T52X Ko-Cap®; Tolleranza Capacità:± 20%; Codice Dimensioni Produttore:A; Resistenza Esr:0.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Condensatori
  • Componenti passivi
  • Kemet
    • Con.

    Con.

    3V; Gamma Prodotti:Serie T52X Ko-Cap®; Tolleranza Capacità:± 20%; Codice Dimensioni Produttore:A; Resistenza Esr:0.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Condensatori
  • Componenti passivi
  • Kemet
    • Con.

    Con.

    3V, 20%, Bob; Capacità:100Μf; Tensione Nominale:6.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Condensatori
  • Componenti passivi
  • Kemet
    • Con.

    Con.

    3V, 20%; Capacità:150Μf; Tensione Nominale:6.3V; Gamma Prodotti:Serie T52X Ko-Cap®; Tolleranza Capacità:± 20%; Codice Dimensioni Produttore:B; Resistenza Esr:0.Kemet T520B157M006Ate045 150Μf, 6.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Condensatori
  • Componenti passivi
  • Kemet
    • Con.

    Con.

    045Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55° |KEMET T520B227M004ATE045.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Condensatori
  • Componenti passivi
  • Kemet
    • Con.

    Con.

    04Ohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55 |KEMET T520B476M006ATE040.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Condensatori
  • Componenti passivi
  • Kemet
    • Con.

    Con.

    018Ohm; Temperatura Di Esercizio |KEMET T520D227M010ATE018.Kemet T520D227M010Ate018 220Μf, 10V, 20%, 2917, Bob; Capacità:220Μf; Tensione Nominale:10V; Gamma Prodotti:Serie T52X Ko-Cap®; Tolleranza Capacità:± 20%; Codice Dimensioni Produttore:D; Resistenza Esr:0.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Condensatori
  • Componenti passivi
  • Kemet
    • Mosfet, Canale N, 25V, 18A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:18A; Tensione Drain Source Vds:25V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0071Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SI4116DY-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 40V, 30A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:30A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0085Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensi |VISHAY SIR426DP-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, N Ch, 60V, 5.6A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:5.6A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.021Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SI7414DN-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 150V, 3A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensio |VISHAY SI7898DP-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 150V, 3A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.9W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet, Canale N, 150V, 3A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:3A; Tensione Drain Source Vds:150V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.068Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.9W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Vishay Si7898Dp-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:3A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY SI7898DP-T1-GE3.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale P, 30V, 50A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0042Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:69W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet, Canale P, 30V, 50A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0042Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:69W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Vishay Si7149Dp-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-50A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:25V |VISHAY SI7149DP-T1-GE3.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale P, 20V, 4.5A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.3W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet, Canale P, 20V, 4.5A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:1.3W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    5A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:12V |VISHAY SI9433BDY-T1-GE3.Vishay Si9433Bdy-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-4.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale N, 40V, 50A, To252; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0069Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione |VISHAY SUD50N04-8M8P-4GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet Esd, Canale N, 20V, 0.14A, Sc89; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:140Ma; Tensione Drain Source Vds:20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.5V; Tensi |VISHAY SI1032R-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale P, 60V, 3.6A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-3.6A; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.054Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; T |VISHAY SI7415DN-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale P, 30V, 50A, Ppak So8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0042Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Te |VISHAY SI7149DP-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Con.

    Con.

    Kemet T495D106K035Ate300 10Μf, 35V, 10%, 2917, Bob; Capacità:10Μf; Tensione Nominale:35V; Case Condensatore Al Tantalio:2917 [7343 Metrico]; Gamma Prodotti:Serie T495; Tolleranza Capacità:± 10%; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatu |KEMET T495D106K035ATE300.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Componenti passivi circuiti
  • Condensatori
  • Componenti passivi
  • Kemet
    • Mosfet, Canale P, 20V, 4.5A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-4.5A; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.03Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tens |VISHAY SI9433BDY-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale P, -40V, -50A, To-252; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-50A; Tensione Drain Source Vds:-40V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0067Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Te |VISHAY SUD50P04-08-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, Canale P, 60V, 0.185A, Sot23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-185Ma; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:350Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Mosfet, Canale P, 60V, 0.185A, Sot23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-185Ma; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-2V; Dissipazione Di Potenza Pd:350Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

    Vishay Tp0610K-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Corrente Id Max:-185Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:20V |VISHAY TP0610K-T1-GE3.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet Esd, Canale P, 20V, 0.14A, Sc-75; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-140Ma; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):8Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:900Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Modello Case Transistor:Sc-75A; No.

    Mosfet Esd, Canale P, 20V, 0.14A, Sc-75; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-140Ma; Tensione Drain Source Vds:-20V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):8Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:900Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:250Mw; Modello Case Transistor:Sc-75A; No.

    Vishay Si1031R-T1-Ge3 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Corrente Id Max:-140Ma; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vgs Max:6V |VISHAY SI1031R-T1-GE3.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Mosfet, 2 Canali N, 60V, 5.3A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:5.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.1W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet, 2 Canali N, 60V, 5.3A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:5.3A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.046Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:3.1W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Vishay Si9945Bdy-T1-Ge3 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Configurazione Modulo:Doppio; Corrente Continua Di Drain Id, Canale N:5.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • Di Uscite:1Uscite; Corrente Di Uscita:20Ma; Tensione Di Uscita:-; Modello Case Driver:Sod-123; No.

    Di Uscite:1Uscite; Corrente Di Uscita:20Ma; Tensione Di Uscita:-; Modello Case Driver:Sod-123; No.

    02A, Sod123; Topologia Dispositivo:Lineare; No. Onsemi Nsi45020At1G.Di Pin:2Pin; Tensione Di Ingresso Min:0V; Tensione Di Ingresso Max:45V; Frequenza Di Commutazione:1Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q100; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Applicazione Driver Led:Retroilluminazione Display, Illuminazione; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Tensione Di Ingresso:Da 0V A 45V; Tipo Di Controllo Dimmeraggio:Pwm; Tipo Di Dispositivo:Led |ONSEMI NSI45020AT1G Ic, Led Driver, 45V, 0.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Componentistica di illuminazione LED
  • Onsemi
    • Di Uscite:1Uscite; Corrente Di Uscita:25Ma; Tensione Di Uscita:-; Modello Case Driver:Sod-123; No.

    Di Uscite:1Uscite; Corrente Di Uscita:25Ma; Tensione Di Uscita:-; Modello Case Driver:Sod-123; No.

    Di Pin:2Pin; Tensione Di Ingresso Min:0V; Tensione Di Ingresso Max:45V; Frequenza Di Commutazione:1Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q100; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Applicazione Driver Led:Retroilluminazione Display, Illuminazione; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Tensione Di Ingresso:Da 0V A 45V; Tipo Di Controllo Dimmeraggio:Pwm; Tipo Di Dispositivo:Led |ONSEMI NSI45025AT1G Ic, Led Driver, 45V, 0.025A, Sod123; Topologia Dispositivo:Lineare; No. Onsemi Nsi45025At1G.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Componentistica di illuminazione LED
  • Onsemi
    • Di Uscite:1Uscite; Corrente Di Uscita:30Ma; Tensione Di Uscita:-; Modello Case Driver:Sod-123; No.

    Di Uscite:1Uscite; Corrente Di Uscita:30Ma; Tensione Di Uscita:-; Modello Case Driver:Sod-123; No.

    Di Pin:2Pin; Tensione Di Ingresso Min:0V; Tensione Di Ingresso Max:45V; Frequenza Di Commutazione:1Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q100; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Applicazione Driver Led:Retroilluminazione Display, Illuminazione; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Tensione Di Ingresso:Da 0V A 45V; Tipo Di Controllo Dimmeraggio:Pwm; Tipo Di Dispositivo:Led |ONSEMI NSI45030AT1G Ic, Led Driver, 45V, 0.03A, Sod123; Topologia Dispositivo:Lineare; No. Onsemi Nsi45030At1G.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Componentistica di illuminazione LED
  • Onsemi
    • Di Uscite:1Uscite; Corrente Di Uscita:30Ma; Tensione Di Uscita:-; Modello Case Driver:Sot-223; No.

    Di Uscite:1Uscite; Corrente Di Uscita:30Ma; Tensione Di Uscita:-; Modello Case Driver:Sot-223; No.

    Onsemi Nsi45030Azt1G.Di Pin:4Pin; Tensione Di Ingresso Min:0V; Tensione Di Ingresso Max:45V; Frequenza Di Commutazione:1Mhz; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:Aec-Q100; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):-; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Applicazione Driver Led:Retroilluminazione Display, Illuminazione; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Tensione Di Ingresso:Da 0V A 45V; Tipo Di Dispositivo:Led |ONSEMI NSI45030AZT1G Sot223 30Ma 10% Ccr; Topologia Dispositivo:Lineare; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Componentistica di illuminazione LED
  • Onsemi
    • Di Uscite:1Uscite; Corrente Di Uscita:10Ma; Tensione Di Uscita:-; Modello Case Driver:Sod-123; No.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Componentistica di illuminazione LED
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale P, 60V, 0.185A, Sot23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-185Ma; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-4.5V; Ten |VISHAY TP0610K-T1-GE3
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Vishay
    • PREVIOUS 273889 273890 273891 273892 273893 273894 273895 273896 273897 273898 273899 273900 273901 273902 273903 273904 273905 NEXT