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Infineon Igp50N60Txksa1

About The Di |INFINEON IGP50N60TXKSA1.Igbt,600V,50A,to220; Corrente Di Collettore Cc:50A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:600V; Modello Case Transistor:To-220; No

Igbt,600V,50A,to220; Corrente Di Collettore Cc:50A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2V; Dissipazione Di Potenza Pd:333W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:600V; Modello Case Transistor:To-220; No. Di ,INFINEON IGP50N60TXKSA1

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Infineon Igp50N60Txksa1

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Specifications of Infineon Igp50N60Txksa1

CategoryDispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor
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Infineon Igp50N60Txksa1
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Igbt+ Diodo,1200V,25A,to247; Corrente Di Collettore Cc:25A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2.2V; Dissipazione Di Potenza Pd:349W; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:1.2Kv; Modello Case Transistor:To- |INFINEON IKW25N120T2FKSA1
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