Igbt, Bas Potenza, 1200V, 25A, Easypim; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Di Collettore Cc:25A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):1.85V; Dissipazione Di Potenza Pd:175W; Tensione Collettore-Emettitore V ,INFINEON FP25R12W2T4
Semiconduttori - Discreti
Infineon Fp25R12W2T4
Specifications of Infineon Fp25R12W2T4 | |
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