Modulo Igbt, 1.7Kv, 930A, 4.15Kw; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Di Collettore Cc:650A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2V; Dissipazione Di Potenza Pd:4.15Kw; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ce ,INFINEON FF650R17IE4DB2BOSA1
Semiconduttori - Discreti
Infineon Ff650R17Ie4Db2Bosa1
Specifications of Infineon Ff650R17Ie4Db2Bosa1 | |
---|---|
Category | Dispositivi elettronici > Circuiti stampati e componenti > Semiconduttori > Transistor |
Instock | instock |
Last Updated