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Infineon

Infineon Ff650R17Ie4Db2Bosa1

About The 7Kv, 930A, 4.15Kw; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ce |INFINEON FF650R17IE4DB2BOSA1

Modulo Igbt, 1.7Kv, 930A, 4.15Kw; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Di Collettore Cc:650A; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):2V; Dissipazione Di Potenza Pd:4.15Kw; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ce ,INFINEON FF650R17IE4DB2BOSA1

Semiconduttori - Discreti

Infineon Ff650R17Ie4Db2Bosa1

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Specifications of Infineon Ff650R17Ie4Db2Bosa1

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