Mosfet, Canale N 30V 65A Sot669; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:65A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.00492Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1.7V; Dissipazione Di Potenza Pd:51W; Modello Case Transistor:Sot-669; No. Di Pin:4Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:65A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Resistenza Stato On Max:7Mohm; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale ,NEXPERIA PSMN7R0-30YL,115
Semiconduttori - Discreti
Nexperia Psmn7R0-30Yl,115
Specifications of Nexperia Psmn7R0-30Yl,115 | |
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