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Gestione di calore e raffreddamento
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Boyd 5F

About The Dissipatore Di Calore, To-5, 48°C/W; Resistenza Termica:45.2°C/W; Confezioni Raffreddate:To-5; Larghezza Esterna - Metrica:-; Altezza Esterna - Metrica:12

Dissipatore Di Calore, To-5, 48°C/W; Resistenza Termica:45.2°C/W; Confezioni Raffreddate:To-5; Larghezza Esterna - Metrica:-; Altezza Esterna - Metrica:12.7Mm; Lunghezza Esterna - Metrica:-; Diametro Esterno - Metrico:14 ,BOYD 5F

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Specifications of Boyd 5F

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Rating :- 9.91 /10
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Transistor Npn 400V 12A To220; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:400V; Frequenza Di Transizione Ft:4Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:100W; Corrente Di Collettore Cc:12A; Guadagno Di Corrente |ONSEMI FJP13009H2TU
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N, 30V, 11.6A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11.6A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0079Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet, Canale N, 30V, 11.6A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:11.6A; Tensione Drain Source Vds:30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0079Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.5V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    6A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:2.Onsemi Fds8880 Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:11.5V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDS8880.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet Pch 30V 13A 8Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-13A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Mosfet Pch 30V 13A 8Soic; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-13A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0077Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1.9V; Dissipazione Di Potenza Pd:2.5W; Modello Case Transistor:Soic; No.

    Onsemi Fds6679Az Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (27-Jun-2018); Corrente Id Max:-13A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:+25V; Tensione Vgs Off Min:-25V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDS6679AZ.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N, 60V, 50A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0115Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Mosfet, Canale N, 60V, 50A, Dpak; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:50A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.0115Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:4V; Dissipazione Di Potenza Pd:115W; Modello Case Transistor:To-252Aa; No.

    Onsemi Fdd13An06A0 Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:175°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):Lead (27-Jun-2018); Corrente Id Max:9.9A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +175°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:60V; Tensione Vgs Max:4V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tipo Di Terminazione:Dispositivo A Montaggio Superficiale |ONSEMI FDD13AN06A0.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N, 60V, 3.5A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |ONSEMI FDS9945
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  • Circuiti stampati e componenti
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  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Onsemi
    • Mosfet, Canale N, 60V, 3.5A, 8Soic; Polarità Transistor:Canale N Doppio; Corrente Continua Di Drain Id:3.5A; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.1Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Te |ONSEMI FDS9945
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    • Dissipatore Di Calore, To-5, 48°C/W; Resistenza Termica:45.2°C/W; Confezioni Raffreddate:To-5; Larghezza Esterna - Metrica:-; Altezza Esterna - Metrica:12.7Mm; Lunghezza Esterna - Metrica:-; Diametro Esterno - Metrico:14 |BOYD 5F
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    • Transistor, Npn, 40V, 200Ma, To-92; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:40V; Frequenza Di Transizione Ft:300Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Corrente Di Collettore Cc:200Ma; Guadagno Di |ONSEMI 2N3904BU
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