Mosfet, P, Sot-23-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:2.6A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs ,DIODES INC. ZXM62P03E6
Semiconduttori - Discreti
Diodes Inc. Zxm62P03E6
Specifications of Diodes Inc. Zxm62P03E6 | |
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