reorder
ALWAYS Be Happy search home
c
Combo Blog
Categories
Play Games New
Dispositivi elettronici
Circuiti stampati e componenti
Semiconduttori
Chip e circuiti integrati
Diodes Inc.

Mosfet, P, Sot-23-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:2.6A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Diodes Inc. Zxm61N02F

    Diodes Inc. Zxm61N02F

    5V |DIODES INC.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Diodes Inc. Zxm61N03F

    Diodes Inc. Zxm61N03F

    22Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Diodi
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Diodes Inc. Zxm61P02F

    Diodes Inc. Zxm61P02F

    6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Diodes Inc. Zxm61P03F

    Diodes Inc. Zxm61P03F

    Mosfet, P, Sot-23; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Diodes Inc. Zxm62P03E6

    Diodes Inc. Zxm62P03E6

    6A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.5A; Corrente Di Impulso Idm:18A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Marcatura Smd:2P03; No.Mosfet, P, Sot-23-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:2.11Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:-1V; Dissipazione Di Potenza Pd:806Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Diodes Inc. Zxm64P03X

    Diodes Inc. Zxm64P03X

    Mosfet, P, Msop-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3. ZXM64P03X.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:10A; Corrente Ic @ Vce Sat:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:4A; Corrente Ic Tipica:5A; Corrente Ic Hfe:1Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Hfe Min.:300; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:115Mhz; Marcatura Dispositivo:Zxt13N50De6; Marcatura Smd:N50D; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):12Mv; Tensione Vcbo:100V |DIODES INC.

    Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:10A; Corrente Ic @ Vce Sat:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:4A; Corrente Ic Tipica:5A; Corrente Ic Hfe:1Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Hfe Min.:300; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:115Mhz; Marcatura Dispositivo:Zxt13N50De6; Marcatura Smd:N50D; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):12Mv; Tensione Vcbo:100V |DIODES INC.

    Zxt13N50De6. Diodes Inc.ZXT13N50DE6 Transistor, Npn, Sot23-6; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Frequenza Di Transizione Ft:115Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:15A; Corrente Ic @ Vce Sat:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:4A; Corrente Ic Tipica:4A; Corrente Ic Hfe:1Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Hfe Min.:300; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:55Mhz; Marcatura Dispositivo:Zxt13P12De6; Marcatura Smd:P12D; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):10Mv; Tensione Vcbo:20V |DIODES INC.

    Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:15A; Corrente Ic @ Vce Sat:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:4A; Corrente Ic Tipica:4A; Corrente Ic Hfe:1Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Hfe Min.:300; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:55Mhz; Marcatura Dispositivo:Zxt13P12De6; Marcatura Smd:P12D; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):10Mv; Tensione Vcbo:20V |DIODES INC.

    ZXT13P12DE6 Transistor, Pnp, Sot23-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:12V; Frequenza Di Transizione Ft:55Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1.1W; Corrente Di Collettore Cc:4A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe:500Hfe; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, P, Msop-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Npn, Sot23-6; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Frequenza Di Transizione Ft:115Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1.1W; Corrente Di Collettore Cc:4A; Guadagno Di Corrente Cc H |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Pnp, Sot23-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:12V; Frequenza Di Transizione Ft:55Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1.1W; Corrente Di Collettore Cc:4A; Guadagno Di Corrente Cc Hf |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, 60V, 0.27A, E-Line; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:270Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):7.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di S |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, E-Line; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:90Ma; Tensione Drain Source Vds:450V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):50Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:3V; |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, 60V, 0.45A, E-Line; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:450Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):2Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Sog |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, E-Line; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:320Ma; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.4 |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, E-Line; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:270Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2.4V |DIODES INC.
  • Arte e svago
  • Hobby e arti creative
  • Modellismo
  • Accessori per modellini di treni
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • |DIODES INC.

    |DIODES INC.

    ZVN3310A Mosfet, N, E-Line; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:200Ma; Tensione Drain Source Vds:100V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:2. Diodes Inc. Zvn3310A.

  • Arte e svago
  • Hobby e arti creative
  • Modellismo
  • Accessori per modellini di treni
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, Logic, E-Line; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:600Ma; Tensione Drain Source Vds:60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):1.5Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, N, Logic, E-Line; Polarità Transistor:Canale N; Corrente Continua Di Drain Id:180Ma; Tensione Drain Source Vds:200V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):10Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):5V; Tensione Di Soglia |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, P, E-Line; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:45Ma; Tensione Drain Source Vds:-450V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):150Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione Di Soglia Vgs: |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Chip e circuiti integrati
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Mosfet, P, -60V, -0.32A, E-Line; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:-280Ma; Tensione Drain Source Vds:-60V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):4Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):-10V; Tensione D |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Npn, 45V, E-Line; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:45V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:1A; Guadagno Di Corrente Cc |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Npn, E-Line; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:1A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe: |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Npn, E-Line; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:1A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Pnp, E-Line; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:150Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:1A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe: |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Npn, 60V, 2A, E-Line; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:60V; Frequenza Di Transizione Ft:175Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:2A; Guadagno Di Corrent |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Npn, E-Line; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:100V; Frequenza Di Transizione Ft:175Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:2A; Guadagno Di Corrente Cc Hfe |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Npn, E-Line; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:120V; Frequenza Di Transizione Ft:130Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:500Ma; Guadagno Di Corrente Cc |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • Transistor, Bipol Pnp, -60V, -2A, E-Line; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:-60V; Frequenza Di Transizione Ft:140Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1W; Corrente Di Collettore Cc:-2A; Guadagno |DIODES INC.
  • Dispositivi elettronici
  • Circuiti stampati e componenti
  • Semiconduttori
  • Transistor
  • Semiconduttori - Discreti
  • Diodes Inc.
    • PREVIOUS 290382 290383 290384 290385 290386 290387 290388 290389 290390 290391 290392 290393 290394 290395 290396 290397 290398 NEXT