Diodes Inc. Zxm61N02F

8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.Mosfet, P, Msop-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3. Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:-3.

Mosfet, P, Sot-23-6; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:2. Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:150Mohm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:-12V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tensione Vgs Th Min:-1V |DIODES INC.

1A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.3A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:625W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Marcatura Smd:P03; No.

6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4. Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:600Mohm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-20V; Tensione Vgs Max:-700Mv; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-4.5V |DIODES INC.

9A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:625W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Marcatura Smd:P02; No.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-700Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:900Ma; Corrente Di Impulso Idm:4.