Diodes Inc. Zxm61N03F

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Mosfet, P, Msop-8; PolaritÃ Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.8A; Tensione Drain Source Vds:-30V; Resistenza Di Attivazione Rds(On):0.075Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs: |DIODES INC.

Zxm64P03X ZXM64P03X.Diodes Inc.

Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:15A; Corrente Ic @ Vce Sat:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:4A; Corrente Ic Tipica:4A; Corrente Ic Hfe:1Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Hfe Min.:300; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:55Mhz; Marcatura Dispositivo:Zxt13P12De6; Marcatura Smd:P12D; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):10Mv; Tensione Vcbo:20V |DIODES INC.

ZXT13P12DE6 Transistor, Pnp, Sot23-6; PolaritÃ Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:12V; Frequenza Di Transizione Ft:55Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1.

Di Pin:6Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Continua Di Collettore Ic Max:10A; Corrente Ic @ Vce Sat:100Ma; Corrente Ic Continua A Max:4A; Corrente Ic Tipica:5A; Corrente Ic Hfe:1Ma; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:1.1W; Hfe Min.:300; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Larghezza Di Banda Guadagno Ft Typ:115Mhz; Marcatura Dispositivo:Zxt13N50De6; Marcatura Smd:N50D; Tensione Saturaz Collettore-Emettitore Vce(On):12Mv; Tensione Vcbo:100V |DIODES INC.

Zxt13N50De6.ZXT13N50DE6 Transistor, Npn, Sot23-6; PolaritÃ Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Frequenza Di Transizione Ft:115Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1. Diodes Inc.

Diodes Inc. Zxm64P03X

Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:75Mohm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:-20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tensione Vgs Th Min:-1V |DIODES INC.

Diodes Inc. Zxm62P03E6

Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:150Mohm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:-12V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tensione Vgs Th Min:-1V |DIODES INC.

Diodes Inc. Zxm61P03F

1A; Corrente Di Impulso Idm:4. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150Â°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di SensibilitÃ All'umiditÃ (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:1.

Diodes Inc. Zxm61P02F

9A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:625W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Marcatura Smd:P02; No. ZXM61P02F.

Diodes Inc. Zxm61N03F

22Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.3A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:806Mw; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55Â°C A +150Â°C; Marcatura Smd:N03; No.

Diodi

Diodes Inc. Zxm61P02F

Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:600Mohm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:-20V; Tensione Vgs Max:-700Mv; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-4.

Diodes Inc. Zxm61N03F

Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:220Mohm; Temperatura Di Corrente:25Â°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150Â°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55Â°C; Tensione Vds Tipica:30V; Tensione Vgs Max:20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:10V; Tensione Vgs Th Min:1V |DIODES INC. ZXM61N03F.22Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):10V; Tensione Di Soglia Vgs:1V; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.

Diodi