Diodes Inc. Zxm61P02F

Zxt13N50De6 ZXT13N50DE6.Diodes Inc.

Zxm64P03X ZXM64P03X.

ZXT13P12DE6 Transistor, Pnp, Sot23-6; Polarità Transistor:Pnp; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:12V; Frequenza Di Transizione Ft:55Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1. Diodes Inc.

ZXT13N50DE6 Transistor, Npn, Sot23-6; Polarità Transistor:Npn; Tensione Collettore-Emettitore V(Br)Ceo:50V; Frequenza Di Transizione Ft:115Mhz; Dissipazione Di Potenza Pd:1. Diodes Inc. Zxt13N50De6.

Di Pin:8Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:-3. Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:75Mohm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-30V; Tensione Vgs Max:-20V; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-10V; Tensione Vgs Th Min:-1V |DIODES INC. ZXM64P03X.Mosfet, P, Msop-8; Polarità Transistor:Canale P; Corrente Continua Di Drain Id:3.

5A; Corrente Di Impulso Idm:18A; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Marcatura Smd:2P03; No.

ZXM61P03F.3A; Dissipazione Di Potenza Ptot Max:625W; Intervallo Temperatura Di Esercizio:Da -55°C A +150°C; Marcatura Smd:P03; No.

Di Transistor:1; Resistenza Stato On Max:600Mohm; Temperatura Di Corrente:25°C; Temperatura Di Esercizio Min:-55°C; Temperatura Di Giunzione Tj Max:150°C; Temperatura Di Giunzione Tj Min:-55°C; Tensione Vds Tipica:-20V; Tensione Vgs Max:-700Mv; Tensione Vgs Di Misurazione Rds On:-4.5V; Tensione Di Soglia Vgs:-700Mv; Dissipazione Di Potenza Pd:625Mw; Modello Case Transistor:Sot-23; No.5V |DIODES INC. Di Pin:3Pin; Temperatura Di Esercizio Max:150°C; Gamma Prodotti:-; Standard Di Qualifica Automotive:-; Livello Di Sensibilità All'umidità (Msl):Msl 1 - Non Limitata; Sostanze Estremamente Preoccupanti (Svhc):No Svhc (15-Jan-2019); Corrente Id Max:900Ma; Corrente Di Impulso Idm:4.

ZXM61P03F.

6Ohm; Tensione Vgs Di Misura Rds(On):4.